Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil DFE201610E-1R0M=P2 von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1uH, Nennstrom 2.7A, Gehäusegröße 0806. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für DFE201610E-1R0M=P2.
DFE201610E-1R0M=P2 hat eine Induktivität von 1uH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
DFE201610E-1R0M=P2 ist für 2.7A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
DFE201610E-1R0M=P2 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0806. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
Weitere Datasheet-Pfade erkunden
Gehen Sie von DFE201610E-1R0M=P2 weiter zu Hersteller, Serie und breiteren Datasheet-Sammlungen.
Produkteigenschaften
| Induktivität | 1uH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 2.7A |
| Sättigungsstrom | 3.6A |
| Gehäuse / Größe | 0806 |
| Gehäuse / Ausführung | 0806 |
| Lieferant | muRata |
| Beschreibung | Chip Inductor, 1uH, ±20%, Rated current: 2.7A, Saturation current: 3.6A, Case: 0806 |
| Typ / Aufbau | Chip Inductor |