Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil DFE252007F-2R2M=P2 von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 2.2uH, Nennstrom 1.4 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 182 mOhm Max, Gehäusegröße 1008. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für DFE252007F-2R2M=P2.
DFE252007F-2R2M=P2 hat eine Induktivität von 2.2uH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
DFE252007F-2R2M=P2 ist für 1.4 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
DFE252007F-2R2M=P2 hat einen DC-Widerstand von 182 mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
DFE252007F-2R2M=P2 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1008. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 2.2uH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 1.4 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 182 mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 1.8 A Max |
| Gehäuse / Größe | 1008 |
| Gehäuse / Ausführung | 1008 |
| Lieferant | muRata |
| Beschreibung | Chip Inductor, 2.2uH, ±20%, Case: 1008 |
| Typ / Aufbau | Chip Inductor |