Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil DFE252008U-4R7M=P2 von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 4.7uH, Nennstrom 1A, Gehäusegröße 1008. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für DFE252008U-4R7M=P2.
DFE252008U-4R7M=P2 hat eine Induktivität von 4.7uH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
DFE252008U-4R7M=P2 ist für 1A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
DFE252008U-4R7M=P2 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1008. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 4.7uH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 1A |
| Sättigungsstrom | 1.6A |
| Gehäuse / Größe | 1008 |
| Gehäuse / Ausführung | 1008 |
| Lieferant | muRata |
| Beschreibung | Chip Inductor, 4.7uH, ±20%, Rated current: 1A, Saturation current: 1.6A, Case: 1008 |
| Typ / Aufbau | Chip Inductor |