Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil DFE252012F-8R2M=P2-1008 von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 8.2uH, Nennstrom 1.1A, Gehäusegröße 1008. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für DFE252012F-8R2M=P2-1008.
DFE252012F-8R2M=P2-1008 hat eine Induktivität von 8.2uH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
DFE252012F-8R2M=P2-1008 ist für 1.1A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
DFE252012F-8R2M=P2-1008 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1008. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
Weitere Datasheet-Pfade erkunden
Gehen Sie von DFE252012F-8R2M=P2-1008 weiter zu Hersteller, Serie und breiteren Datasheet-Sammlungen.
Produkteigenschaften
| Induktivität | 8.2uH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 1.1A |
| Sättigungsstrom | 1.5A |
| Gehäuse / Größe | 1008 |
| Gehäuse / Ausführung | 1008 |
| Lieferant | muRata |
| Beschreibung | Molded Inductor, 8.2uH, ±20%, Rated current: 1.1A, Saturation current: 1.5A, Case: 1008 |
| Typ / Aufbau | Molded Inductor |