Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil DFE252012F-R82M=P2 von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 820nH, Nennstrom 4.2A, Gleichstromwiderstand (DCR) 35 mOhm Max, Gehäusegröße 1008. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für DFE252012F-R82M=P2.
DFE252012F-R82M=P2 hat eine Induktivität von 820nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
DFE252012F-R82M=P2 ist für 4.2A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
DFE252012F-R82M=P2 hat einen DC-Widerstand von 35 mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
DFE252012F-R82M=P2 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1008. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 820nH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 4.2A |
| DC-Widerstand (DCR) | 35 mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 4.9A |
| Gehäuse / Größe | 1008 |
| Gehäuse / Ausführung | 1008 |
| Lieferant | muRata |
| Beschreibung | Power Inductor, 820nH, ±20%, Rated current: 4.2A, Saturation current: 4.9A, Case: 1008 |
| Typ / Aufbau | Power Inductor |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 1 MHz |