Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil DFE2HCAH1R0MJ0L von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1uH, Nennstrom 3A, Gleichstromwiderstand (DCR) 0.05 Ohm Max, Gehäusegröße 1008. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für DFE2HCAH1R0MJ0L.
DFE2HCAH1R0MJ0L hat eine Induktivität von 1uH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
DFE2HCAH1R0MJ0L ist für 3A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
DFE2HCAH1R0MJ0L hat einen DC-Widerstand von 0.05 Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
DFE2HCAH1R0MJ0L verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1008. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 1uH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 3A |
| DC-Widerstand (DCR) | 0.05 Ohm Max |
| Sättigungsstrom | 3.4A |
| Gehäuse / Größe | 1008 |
| Gehäuse / Ausführung | 1008 |
| Lieferant | muRata |
| Beschreibung | Power Inductor, 1uH, ±20%, Rated current: 3A, Saturation current: 3.4A, Case: 1008 |
| Typ / Aufbau | Power Inductor |