Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil DFE32CAH2R2MR0L von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 2.2uH, Nennstrom 2.9A, Gehäusegröße 1210. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für DFE32CAH2R2MR0L.
DFE32CAH2R2MR0L hat eine Induktivität von 2.2uH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
DFE32CAH2R2MR0L ist für 2.9A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
DFE32CAH2R2MR0L verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1210. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 2.2uH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 2.9A |
| Sättigungsstrom | 4A |
| Gehäuse / Größe | 1210 |
| Gehäuse / Ausführung | 1210 |
| Lieferant | muRata |
| Beschreibung | Power Inductor, 2.2uH, ±20%, Rated current: 2.9A, Saturation current: 4A, Case: 1210 |
| Typ / Aufbau | Power Inductor |