Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil DFEG10040D-2R2M=P3 von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 2.2uH, Nennstrom 12A, Gehäusegröße SMD,10.9x10mm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für DFEG10040D-2R2M=P3.
DFEG10040D-2R2M=P3 hat eine Induktivität von 2.2uH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
DFEG10040D-2R2M=P3 ist für 12A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
DFEG10040D-2R2M=P3 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von SMD,10.9x10mm. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 2.2uH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 12A |
| Sättigungsstrom | 14A |
| Gehäuse / Größe | SMD,10.9x10mm |
| Gehäuse / Ausführung | SMD,10.9x10mm |
| Lieferant | muRata |
| Beschreibung | Power Inductor, 2.2uH, ±20%, Rated current: 12A, Saturation current: 14A, Case: SMD,10.9x10mm |
| Typ / Aufbau | Power Inductor |