Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil DFEG7030D-1R0M=P3 von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1uH, Nennstrom 9.1A, Gehäusegröße 2726. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für DFEG7030D-1R0M=P3.
DFEG7030D-1R0M=P3 hat eine Induktivität von 1uH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
DFEG7030D-1R0M=P3 ist für 9.1A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
DFEG7030D-1R0M=P3 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 2726. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 1uH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 9.1A |
| Sättigungsstrom | 9A |
| Gehäuse / Größe | 2726 |
| Gehäuse / Ausführung | 2726 |
| Lieferant | muRata |
| Beschreibung | Chip Inductor, 1uH, ±20%, Rated current: 9.1A, Saturation current: 9A, Case: 2726 |
| Typ / Aufbau | Chip Inductor |