Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil ER10M100KP von Gowanda. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 100 nH, Nennstrom 1.35 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 80mOhm Max, Gehäusegröße Axial. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für ER10M100KP.
ER10M100KP hat eine Induktivität von 100 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
ER10M100KP ist für 1.35 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
ER10M100KP hat einen DC-Widerstand von 80mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
ER10M100KP verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Axial. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 100 nH |
| Toleranz | ±10% |
| Nennstrom | 1.35 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 80mOhm Max |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.095" Dia x 0.250" L (2.42mm x 6.35mm) |
| Gehäuse / Größe | Axial |
| Gehäuse / Ausführung | Axial |
| Lieferant | Gowanda |
| Beschreibung | FIXED IND 100NH 1.35A 80 MOHM TH |
| Serie | ER10M |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Molded |
| Kernmaterial | Phenolic |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 40 @ 25MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 680MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 25 MHz |
| Montageart | Through Hole |
| Hersteller-Gehäuse | Axial |
