Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil ER10M103JP von Gowanda. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 100 µH, Nennstrom 84 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 8Ohm Max, Gehäusegröße Axial. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für ER10M103JP.
ER10M103JP hat eine Induktivität von 100 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
ER10M103JP ist für 84 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
ER10M103JP hat einen DC-Widerstand von 8Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
ER10M103JP verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Axial. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 100 µH |
| Toleranz | ±5% |
| Nennstrom | 84 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 8Ohm Max |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 105°C |
| Abmessungen | 0.095" Dia x 0.250" L (2.42mm x 6.35mm) |
| Gehäuse / Größe | Axial |
| Gehäuse / Ausführung | Axial |
| Lieferant | Gowanda |
| Beschreibung | FIXED IND 100UH 84MA 8 OHM TH |
| Serie | ER10M |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Molded |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 50 @ 2.5MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 13MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 2.5 MHz |
| Montageart | Through Hole |
| Hersteller-Gehäuse | Axial |
