Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil ER17S200JR von Gowanda. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 200 nH, Nennstrom 1.1 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 67mOhm Max, Gehäusegröße Axial. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für ER17S200JR.
ER17S200JR hat eine Induktivität von 200 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
ER17S200JR ist für 1.1 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
ER17S200JR hat einen DC-Widerstand von 67mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
ER17S200JR verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Axial. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 200 nH |
| Toleranz | ±5% |
| Nennstrom | 1.1 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 67mOhm Max |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.162" Dia x 0.410" L (4.11mm x 10.41mm) |
| Gehäuse / Größe | Axial |
| Gehäuse / Ausführung | Axial |
| Lieferant | Gowanda |
| Beschreibung | FIXED IND 200NH 1.1A 67 MOHM TH |
| Serie | ER17S |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Molded |
| Kernmaterial | Phenolic |
| Abschirmung | Shielded |
| Q bei Frequenz | 49 @ 25MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 250MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 25 MHz |
| Montageart | Through Hole |
| Hersteller-Gehäuse | Axial |
