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FDSD0412-H-2R2M=P3

muRata

SMD,4.2x4.2mm
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil FDSD0412-H-2R2M=P3 von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 2.2uH, Nennstrom 2.8A, Gleichstromwiderstand (DCR) 84 mOhm Max, Gehäusegröße SMD,4.2x4.2mm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
2.2uH
Nennstrom
2.8A
DC-Widerstand (DCR)
84 mOhm Max

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für FDSD0412-H-2R2M=P3.

Induktivität
2.2uH

FDSD0412-H-2R2M=P3 hat eine Induktivität von 2.2uH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
2.8A

FDSD0412-H-2R2M=P3 ist für 2.8A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
84 mOhm Max

FDSD0412-H-2R2M=P3 hat einen DC-Widerstand von 84 mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
SMD,4.2x4.2mm

FDSD0412-H-2R2M=P3 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von SMD,4.2x4.2mm. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität2.2uH
Toleranz±20%
Nennstrom2.8A
DC-Widerstand (DCR)84 mOhm Max
Sättigungsstrom3.5A
Gehäuse / GrößeSMD,4.2x4.2mm
Gehäuse / AusführungSMD,4.2x4.2mm
LieferantmuRata
BeschreibungPower Inductor, 2.2uH, ±20%, Rated current: 2.8A, Saturation current: 3.5A, Case: SMD,4.2x4.2mm
Typ / AufbauPower Inductor
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz

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