Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil FDSD0415-H-2R2M=P3 von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 2.2 µH, Nennstrom 3.1 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 65 mOhm Max, Gehäusegröße SMD,4x4mm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für FDSD0415-H-2R2M=P3.
FDSD0415-H-2R2M=P3 hat eine Induktivität von 2.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
FDSD0415-H-2R2M=P3 ist für 3.1 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
FDSD0415-H-2R2M=P3 hat einen DC-Widerstand von 65 mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
FDSD0415-H-2R2M=P3 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von SMD,4x4mm. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 2.2 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 3.1 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 65 mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 4.1 A Max |
| Gehäuse / Größe | SMD,4x4mm |
| Gehäuse / Ausführung | SMD,4x4mm |
| Lieferant | muRata |
| Beschreibung | Chip Inductor, Case: SMD,4x4mm |
| Typ / Aufbau | Chip Inductor |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 kHz |