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FDSD0420-H-100M=P3

muRata

SMD,4.2x4.2mm
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil FDSD0420-H-100M=P3 von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 10uH, Nennstrom 1.7A, Gleichstromwiderstand (DCR) 200 mOhm Max, Gehäusegröße SMD,4.2x4.2mm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
10uH
Nennstrom
1.7A
DC-Widerstand (DCR)
200 mOhm Max

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für FDSD0420-H-100M=P3.

Induktivität
10uH

FDSD0420-H-100M=P3 hat eine Induktivität von 10uH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
1.7A

FDSD0420-H-100M=P3 ist für 1.7A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
200 mOhm Max

FDSD0420-H-100M=P3 hat einen DC-Widerstand von 200 mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
SMD,4.2x4.2mm

FDSD0420-H-100M=P3 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von SMD,4.2x4.2mm. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität10uH
Toleranz±20%
Nennstrom1.7A
DC-Widerstand (DCR)200 mOhm Max
Sättigungsstrom2.5A
Gehäuse / GrößeSMD,4.2x4.2mm
Gehäuse / AusführungSMD,4.2x4.2mm
LieferantmuRata
BeschreibungPower Inductor, 10uH, ±20%, Rated current: 1.7A, Saturation current: 2.5A, Case: SMD,4.2x4.2mm
Typ / AufbauPower Inductor
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz

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