FDUE1260-H-R45N=P3
muRata
Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil FDUE1260-H-R45N=P3 von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 450nH, Gleichstromwiderstand (DCR) 0.58mΩ, Gehäusegröße '-. Prüfen Sie die verfügbaren Spezifikationen und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für FDUE1260-H-R45N=P3.
FDUE1260-H-R45N=P3 hat eine Induktivität von 450nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
FDUE1260-H-R45N=P3 hat einen DC-Widerstand von 0.58mΩ. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
FDUE1260-H-R45N=P3 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von '-. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 450nH |
| Toleranz | ±30% |
| DC-Widerstand (DCR) | 0.58mΩ |
| Sättigungsstrom | 41.8A |
| Gehäuse / Größe | '- |
| Gehäuse / Ausführung | '- |
| Lieferant | muRata |
| Beschreibung | Power Inductor, 450nH, ±30%, Saturation current: 41.8A, Case: - |
| Typ / Aufbau | Power Inductor |