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FP1005R4-R12-R

FP1005R4-R12-R

Eaton - Electronics Division

2-SMD
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Beschreibung

FIXED IND 120NH SURFACE MOUNT

Technische Daten

Induktivität
120 nH
Nennstrom
-
DC-Widerstand (DCR)
-
Abmessungen
0.402" L x 0.276" W (10.20mm x 7.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für FP1005R4-R12-R.

Induktivität
120 nH

FP1005R4-R12-R hat eine Induktivität von 120 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
-

FP1005R4-R12-R ist für - ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
-

FP1005R4-R12-R hat einen DC-Widerstand von -. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
2-SMD

FP1005R4-R12-R verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 2-SMD. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 15.6.2026
Induktivität120 nH
Toleranz-
Nennstrom-
DC-Widerstand (DCR)-
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.402" L x 0.276" W (10.20mm x 7.00mm)
Gehäuse / Größe2-SMD
Gehäuse / Ausführung2-SMD
LieferantEaton - Electronics Division
BeschreibungFIXED IND 120NH SURFACE MOUNT
SerieFLAT-PAC, FP1005
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)0.195" (4.95mm)
Merkmale-

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