Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil FP1110V1-R15-R von Eaton - Electronics Division. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 150 nH, Nennstrom 61 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 0.23 mOhm ±5% @ 20°C. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für FP1110V1-R15-R.
FP1110V1-R15-R hat eine Induktivität von 150 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
FP1110V1-R15-R ist für 61 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
FP1110V1-R15-R hat einen DC-Widerstand von 0.23 mOhm ±5% @ 20°C. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
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Alternative Lösungen
Vergleichen Sie mögliche Alternativen mit ähnlichen Spezifikationen. Prüfen Sie vor der Verwendung alle elektrischen und mechanischen Anforderungen.
Produkteigenschaften
| Induktivität | 150 nH |
| Toleranz | ±10% |
| Nennstrom | 61 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 0.23 mOhm ±5% @ 20°C |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C (ambient plus self-temperature rise) |
| Lieferant | Eaton - Electronics Division,WEC |
| Beschreibung | FIXED IND 150NH 90A |
| Produktstatus | Active |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 kHz |
| Montageart | Surface Mount |






