Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil FSLU2520-1R2JP2 von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1.2uH, Nennstrom 235mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 950mΩ, Gehäusegröße 1008. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für FSLU2520-1R2JP2.
FSLU2520-1R2JP2 hat eine Induktivität von 1.2uH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
FSLU2520-1R2JP2 ist für 235mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
FSLU2520-1R2JP2 hat einen DC-Widerstand von 950mΩ. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
FSLU2520-1R2JP2 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1008. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 1.2uH |
| Toleranz | ±5% |
| Nennstrom | 235mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 950mΩ |
| Gehäuse / Größe | 1008 |
| Gehäuse / Ausführung | 1008 |
| Lieferant | muRata |
| Beschreibung | Power Inductor, 1.2uH, ±5%, Rated current: 235mA, Case: 1008 |
| Typ / Aufbau | Power Inductor |