Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil FSLU2520-R10KP2 von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 100nH, Nennstrom 380mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 530mΩ, Gehäusegröße 1008. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für FSLU2520-R10KP2.
FSLU2520-R10KP2 hat eine Induktivität von 100nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
FSLU2520-R10KP2 ist für 380mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
FSLU2520-R10KP2 hat einen DC-Widerstand von 530mΩ. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
FSLU2520-R10KP2 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1008. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 100nH |
| Toleranz | ±10% |
| Nennstrom | 380mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 530mΩ |
| Gehäuse / Größe | 1008 |
| Gehäuse / Ausführung | 1008 |
| Lieferant | muRata |
| Beschreibung | Power Inductor, 100nH, ±10%, Rated current: 380mA, Case: 1008 |
| Typ / Aufbau | Power Inductor |