Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil GT20-253-1LF von Gowanda. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 250 µH, Gleichstromwiderstand (DCR) 168mOhm, Gehäusegröße Radial, Vertical (Open). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für GT20-253-1LF.
GT20-253-1LF hat eine Induktivität von 250 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
GT20-253-1LF hat einen DC-Widerstand von 168mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
GT20-253-1LF verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Radial, Vertical (Open). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 250 µH |
| Toleranz | ±20% |
| DC-Widerstand (DCR) | 168mOhm |
| Sättigungsstrom | 2A |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.800" Dia x 0.475" L (20.32mm x 12.07mm) |
| Gehäuse / Größe | Radial, Vertical (Open) |
| Gehäuse / Ausführung | Radial, Vertical (Open) |
| Lieferant | Gowanda |
| Beschreibung | FIXED IND 250UH 168 MOHM TH |
| Serie | GT20 |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Toroidal |
| Kernmaterial | Iron Powder |
| Abschirmung | Unshielded |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 1 kHz |
| Montageart | Through Hole |
| Hersteller-Gehäuse | Radial, Vertical (Open) |
