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HBWS1005-3N9S

HBWS1005-3N9S

Max Echo

0402 (1005 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 3.9NH 840MA 66 MOHM

Technische Daten

Induktivität
3.9 nH
Nennstrom
840 mA
DC-Widerstand (DCR)
66mOhm Max
Abmessungen
0.039" L x 0.022" W (1.00mm x 0.55mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für HBWS1005-3N9S.

Induktivität
3.9 nH

HBWS1005-3N9S hat eine Induktivität von 3.9 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
840 mA

HBWS1005-3N9S ist für 840 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
66mOhm Max

HBWS1005-3N9S hat einen DC-Widerstand von 66mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0402 (1005 Metric)

HBWS1005-3N9S verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0402 (1005 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 19.7.2026
Induktivität3.9 nH
Toleranz±0.3nH
Nennstrom840 mA
DC-Widerstand (DCR)66mOhm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.039" L x 0.022" W (1.00mm x 0.55mm)
Gehäuse / Größe0402 (1005 Metric)
Gehäuse / Ausführung0402 (1005 Metric)
LieferantMax Echo
BeschreibungFIXED IND 3.9NH 840MA 66 MOHM
SerieHBWS
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
KernmaterialCeramic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz20 @ 250MHz
Eigenresonanzfrequenz5.8GHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz250 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0402 (1005 Metric)
Höhe - sitzend (max.)0.020" (0.50mm)

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