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HBWS1005-68NJ

HBWS1005-68NJ

Max Echo

0402 (1005 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 68NH 180MA 1.12 OHM

Technische Daten

Induktivität
68 nH
Nennstrom
180 mA
DC-Widerstand (DCR)
1.12Ohm Max
Abmessungen
0.039" L x 0.022" W (1.00mm x 0.55mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für HBWS1005-68NJ.

Induktivität
68 nH

HBWS1005-68NJ hat eine Induktivität von 68 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
180 mA

HBWS1005-68NJ ist für 180 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
1.12Ohm Max

HBWS1005-68NJ hat einen DC-Widerstand von 1.12Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0402 (1005 Metric)

HBWS1005-68NJ verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0402 (1005 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 19.7.2026
Induktivität68 nH
Toleranz±5%
Nennstrom180 mA
DC-Widerstand (DCR)1.12Ohm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.039" L x 0.022" W (1.00mm x 0.55mm)
Gehäuse / Größe0402 (1005 Metric)
Gehäuse / Ausführung0402 (1005 Metric)
LieferantMax Echo
BeschreibungFIXED IND 68NH 180MA 1.12 OHM
SerieHBWS
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
KernmaterialCeramic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz22 @ 200MHz
Eigenresonanzfrequenz1.62GHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz200 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0402 (1005 Metric)
Höhe - sitzend (max.)0.020" (0.50mm)

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