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HBWS1608-R12J

HBWS1608-R12J

Max Echo

0603 (1608 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 120NH 300MA 650 MOHM

Technische Daten

Induktivität
120 nH
Nennstrom
300 mA
DC-Widerstand (DCR)
650mOhm Max
Abmessungen
0.063" L x 0.041" W (1.60mm x 1.05mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für HBWS1608-R12J.

Induktivität
120 nH

HBWS1608-R12J hat eine Induktivität von 120 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
300 mA

HBWS1608-R12J ist für 300 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
650mOhm Max

HBWS1608-R12J hat einen DC-Widerstand von 650mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0603 (1608 Metric)

HBWS1608-R12J verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0603 (1608 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 19.7.2026
Induktivität120 nH
Toleranz±5%
Nennstrom300 mA
DC-Widerstand (DCR)650mOhm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.063" L x 0.041" W (1.60mm x 1.05mm)
Gehäuse / Größe0603 (1608 Metric)
Gehäuse / Ausführung0603 (1608 Metric)
LieferantMax Echo
BeschreibungFIXED IND 120NH 300MA 650 MOHM
SerieHBWS
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
KernmaterialCeramic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz35 @ 150MHz
Eigenresonanzfrequenz1.3GHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz150 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0603 (1608 Metric)
Höhe - sitzend (max.)0.041" (1.05mm)

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