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HBWS1608-R16J

HBWS1608-R16J

Max Echo

0603 (1608 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 160NH 250MA 1 OHM SMD

Technische Daten

Induktivität
160 nH
Nennstrom
250 mA
DC-Widerstand (DCR)
1Ohm Max
Abmessungen
0.063" L x 0.041" W (1.60mm x 1.05mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für HBWS1608-R16J.

Induktivität
160 nH

HBWS1608-R16J hat eine Induktivität von 160 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
250 mA

HBWS1608-R16J ist für 250 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
1Ohm Max

HBWS1608-R16J hat einen DC-Widerstand von 1Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0603 (1608 Metric)

HBWS1608-R16J verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0603 (1608 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 19.7.2026
Induktivität160 nH
Toleranz±5%
Nennstrom250 mA
DC-Widerstand (DCR)1Ohm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.063" L x 0.041" W (1.60mm x 1.05mm)
Gehäuse / Größe0603 (1608 Metric)
Gehäuse / Ausführung0603 (1608 Metric)
LieferantMax Echo
BeschreibungFIXED IND 160NH 250MA 1 OHM SMD
SerieHBWS
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
KernmaterialCeramic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz30 @ 100MHz
Eigenresonanzfrequenz1GHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz100 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0603 (1608 Metric)
Höhe - sitzend (max.)0.041" (1.05mm)

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