Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil HBWS2012-82NJ von Max Echo. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 82 nH, Nennstrom 500 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 320mOhm Max, Gehäusegröße 0805 (2015 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für HBWS2012-82NJ.
HBWS2012-82NJ hat eine Induktivität von 82 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
HBWS2012-82NJ ist für 500 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
HBWS2012-82NJ hat einen DC-Widerstand von 320mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
HBWS2012-82NJ verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0805 (2015 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 82 nH |
| Toleranz | ±5% |
| Nennstrom | 500 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 320mOhm Max |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
| Gehäuse / Größe | 0805 (2015 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 0805 (2015 Metric) |
| Lieferant | Max Echo |
| Beschreibung | FIXED IND 82NH 500MA 320 MOHM |
| Serie | HBWS |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Kernmaterial | Ceramic |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 60 @ 500MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 1.2GHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 150 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 0805 (2012 Metric) |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.047" (1.20mm) |
