Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil HBWS2012-R12J von Max Echo. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 120 nH, Nennstrom 500 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 480mOhm Max, Gehäusegröße 0805 (2015 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für HBWS2012-R12J.
HBWS2012-R12J hat eine Induktivität von 120 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
HBWS2012-R12J ist für 500 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
HBWS2012-R12J hat einen DC-Widerstand von 480mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
HBWS2012-R12J verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0805 (2015 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 120 nH |
| Toleranz | ±5% |
| Nennstrom | 500 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 480mOhm Max |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
| Gehäuse / Größe | 0805 (2015 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 0805 (2015 Metric) |
| Lieferant | Max Echo |
| Beschreibung | FIXED IND 120NH 500MA 480 MOHM |
| Serie | HBWS |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Kernmaterial | Ceramic |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 50 @ 250MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 950MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 150 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 0805 (2012 Metric) |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.047" (1.20mm) |
