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HCM1A0805V2-100-R

Eaton - Electronics Division

Nonstandard
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Beschreibung

FIXED IND 10UH 4A 60 MOHM SMD

Technische Daten

Induktivität
10 µH
Nennstrom
4 A
DC-Widerstand (DCR)
60mOhm Max
Abmessungen
0.319" L x 0.315" W (8.10mm x 8.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für HCM1A0805V2-100-R.

Induktivität
10 µH

HCM1A0805V2-100-R hat eine Induktivität von 10 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
4 A

HCM1A0805V2-100-R ist für 4 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
60mOhm Max

HCM1A0805V2-100-R hat einen DC-Widerstand von 60mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Nonstandard

HCM1A0805V2-100-R verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 15.6.2026
Induktivität10 µH
Toleranz±20%
Nennstrom4 A
DC-Widerstand (DCR)60mOhm Max
Sättigungsstrom6.2A
Betriebstemperatur-55°C ~ 155°C
Abmessungen0.319" L x 0.315" W (8.10mm x 8.00mm)
Gehäuse / GrößeNonstandard
Gehäuse / AusführungNonstandard
LieferantEaton - Electronics Division
BeschreibungFIXED IND 10UH 4A 60 MOHM SMD
SerieHCM1AV2
ProduktstatusObsolete
Typ / Aufbau-
KernmaterialAlloy Powder
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz12MHz
Zulassungen / BewertungenAEC-Q200
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)0.213" (5.40mm)
Merkmale-

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