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HCM1A1104V2-R45-R

HCM1A1104V2-R45-R

Eaton - Electronics Division

Nonstandard
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Beschreibung

FIXED IND 450NH 25A 1.23 MOHM

Technische Daten

Induktivität
450 nH
Nennstrom
25 A
DC-Widerstand (DCR)
1.23mOhm Max
Abmessungen
0.425" L x 0.394" W (10.80mm x 10.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für HCM1A1104V2-R45-R.

Induktivität
450 nH

HCM1A1104V2-R45-R hat eine Induktivität von 450 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
25 A

HCM1A1104V2-R45-R ist für 25 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
1.23mOhm Max

HCM1A1104V2-R45-R hat einen DC-Widerstand von 1.23mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Nonstandard

HCM1A1104V2-R45-R verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 15.6.2026
Induktivität450 nH
Toleranz±20%
Nennstrom25 A
DC-Widerstand (DCR)1.23mOhm Max
Sättigungsstrom40A
Betriebstemperatur-55°C ~ 155°C
Abmessungen0.425" L x 0.394" W (10.80mm x 10.00mm)
Gehäuse / GrößeNonstandard
Gehäuse / AusführungNonstandard
LieferantEaton - Electronics Division
BeschreibungFIXED IND 450NH 25A 1.23 MOHM
SerieHCM1AV2
ProduktstatusObsolete
Typ / Aufbau-
KernmaterialIron Powder
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz85MHz
Zulassungen / BewertungenAEC-Q200
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)0.157" (4.00mm)
Merkmale-

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