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HCM1A1305V2-4R7-R

HCM1A1305V2-4R7-R

Eaton - Electronics Division

Nonstandard
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Beschreibung

FIXED IND 4.7UH 11A 9.38 MOHM

Technische Daten

Induktivität
4.7 µH
Nennstrom
11 A
DC-Widerstand (DCR)
9.38mOhm Max
Abmessungen
0.530" L x 0.496" W (13.45mm x 12.60mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für HCM1A1305V2-4R7-R.

Induktivität
4.7 µH

HCM1A1305V2-4R7-R hat eine Induktivität von 4.7 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
11 A

HCM1A1305V2-4R7-R ist für 11 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
9.38mOhm Max

HCM1A1305V2-4R7-R hat einen DC-Widerstand von 9.38mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Nonstandard

HCM1A1305V2-4R7-R verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 15.6.2026
Induktivität4.7 µH
Toleranz±20%
Nennstrom11 A
DC-Widerstand (DCR)9.38mOhm Max
Sättigungsstrom18A
Betriebstemperatur-55°C ~ 155°C
Abmessungen0.530" L x 0.496" W (13.45mm x 12.60mm)
Gehäuse / GrößeNonstandard
Gehäuse / AusführungNonstandard
LieferantEaton - Electronics Division
BeschreibungFIXED IND 4.7UH 11A 9.38 MOHM
SerieHCM1AV2
ProduktstatusObsolete
Typ / Aufbau-
KernmaterialIron Powder
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz13MHz
Zulassungen / BewertungenAEC-Q200
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)0.197" (5.00mm)
Merkmale-

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