HCM2213V2-1R0-R
Eaton - Electronics Division
Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil HCM2213V2-1R0-R von Eaton - Electronics Division. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1 µH, Nennstrom 50 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 0.84mOhm, Gehäusegröße Nonstandard. Prüfen Sie die verfügbaren Spezifikationen und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für HCM2213V2-1R0-R.
HCM2213V2-1R0-R hat eine Induktivität von 1 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
HCM2213V2-1R0-R ist für 50 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
HCM2213V2-1R0-R hat einen DC-Widerstand von 0.84mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
HCM2213V2-1R0-R verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 1 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 50 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 0.84mOhm |
| Sättigungsstrom | 71A |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 155°C |
| Abmessungen | 0.885" L x 0.866" W (22.48mm x 22.00mm) |
| Gehäuse / Größe | Nonstandard |
| Gehäuse / Ausführung | Nonstandard |
| Lieferant | Eaton - Electronics Division |
| Beschreibung | FIXED IND 1UH 50A 0.84 MOHM SMD |
| Serie | HCMV2 |
| Produktstatus | Active |
| Kernmaterial | Alloy Powder |
| Abschirmung | Shielded |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.512" (13.00mm) |
