Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil HEAWS-3R3N=P3 von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 3.3uH, Nennstrom 5.3A, Gehäusegröße SMD-4P,10.7x10.4mm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für HEAWS-3R3N=P3.
HEAWS-3R3N=P3 hat eine Induktivität von 3.3uH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
HEAWS-3R3N=P3 ist für 5.3A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
HEAWS-3R3N=P3 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von SMD-4P,10.7x10.4mm. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 3.3uH |
| Toleranz | ±30% |
| Nennstrom | 5.3A |
| Sättigungsstrom | 8A |
| Gehäuse / Größe | SMD-4P,10.7x10.4mm |
| Gehäuse / Ausführung | SMD-4P,10.7x10.4mm |
| Lieferant | muRata |
| Beschreibung | Power Inductor, 3.3uH, ±30%, Rated current: 5.3A, Saturation current: 8A, Case: SMD-4P,10.7x10.4mm |
| Typ / Aufbau | Power Inductor |