Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil HFW1V2210H6R8K von Eaton - Electronics Division. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 6.8 µH, Nennstrom 26.5 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 2.9mOhm Max, Gehäusegröße 3-SMD, J-Lead. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für HFW1V2210H6R8K.
HFW1V2210H6R8K hat eine Induktivität von 6.8 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
HFW1V2210H6R8K ist für 26.5 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
HFW1V2210H6R8K hat einen DC-Widerstand von 2.9mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
HFW1V2210H6R8K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 3-SMD, J-Lead. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 6.8 µH |
| Toleranz | ±10% |
| Nennstrom | 26.5 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 2.9mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 19A |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Gehäuse / Größe | 3-SMD, J-Lead |
| Gehäuse / Ausführung | 3-SMD, J-Lead |
| Lieferant | Eaton - Electronics Division |
| Beschreibung | FIXED IND 6.8UH 26.5A 2.9 MOHM |
| Serie | HFW1V22xxH |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Abschirmung | Unshielded |
| Eigenresonanzfrequenz | 15MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 kHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 3-SMD |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.402" (10.20mm) |
