Meine Favoriten
HFW1V2213H100K

HFW1V2213H100K

Eaton - Electronics Division

3-SMD, J-Lead
PDF

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil HFW1V2213H100K von Eaton - Electronics Division. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 10 µH, Nennstrom 22 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 3.9mOhm Max, Gehäusegröße 3-SMD, J-Lead. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
10 µH
Nennstrom
22 A
DC-Widerstand (DCR)
3.9mOhm Max

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für HFW1V2213H100K.

Induktivität
10 µH

HFW1V2213H100K hat eine Induktivität von 10 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
22 A

HFW1V2213H100K ist für 22 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
3.9mOhm Max

HFW1V2213H100K hat einen DC-Widerstand von 3.9mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
3-SMD, J-Lead

HFW1V2213H100K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 3-SMD, J-Lead. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

Schnellwerkzeuge

Verwenden Sie diese Rechner für Ihr Induktivitätsdesign

Weitere Datasheet-Pfade erkunden

Gehen Sie von HFW1V2213H100K weiter zu Hersteller, Serie und breiteren Datasheet-Sammlungen.

Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 15.6.2026
Induktivität10 µH
Toleranz±10%
Nennstrom22 A
DC-Widerstand (DCR)3.9mOhm Max
Sättigungsstrom21A
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Gehäuse / Größe3-SMD, J-Lead
Gehäuse / Ausführung3-SMD, J-Lead
LieferantEaton - Electronics Division
BeschreibungFIXED IND 10UH 22A 3.9 MOHM SMD
SerieHFW1V22xxH
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Eigenresonanzfrequenz14MHz
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse3-SMD
Höhe - sitzend (max.)0.492" (12.50mm)

Vorschau

PDF öffnen