Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil HFW1V2215H200K von Eaton - Electronics Division. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 20 µH, Nennstrom 19 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 6.4mOhm Max, Gehäusegröße 3-SMD, J-Lead. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für HFW1V2215H200K.
HFW1V2215H200K hat eine Induktivität von 20 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
HFW1V2215H200K ist für 19 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
HFW1V2215H200K hat einen DC-Widerstand von 6.4mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
HFW1V2215H200K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 3-SMD, J-Lead. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 20 µH |
| Toleranz | ±10% |
| Nennstrom | 19 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 6.4mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 14.3A |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Gehäuse / Größe | 3-SMD, J-Lead |
| Gehäuse / Ausführung | 3-SMD, J-Lead |
| Lieferant | Eaton - Electronics Division |
| Beschreibung | FIXED IND 20UH 19A 6.4 MOHM SMD |
| Serie | HFW1V22xxH |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Abschirmung | Unshielded |
| Eigenresonanzfrequenz | 9MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 kHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 3-SMD |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.571" (14.50mm) |
