Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil HHBC10-0R8A0107V von KEMET. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 107 µH, Nennstrom 3 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 53 mOhm Max, Gehäusegröße Vertical, No Base, 2 PC Pin. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für HHBC10-0R8A0107V.
HHBC10-0R8A0107V hat eine Induktivität von 107 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
HHBC10-0R8A0107V ist für 3 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
HHBC10-0R8A0107V hat einen DC-Widerstand von 53 mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
HHBC10-0R8A0107V verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Vertical, No Base, 2 PC Pin. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
Weitere Datasheet-Pfade erkunden
Gehen Sie von HHBC10-0R8A0107V weiter zu Hersteller, Serie und breiteren Datasheet-Sammlungen.
Produkteigenschaften
| Induktivität | 107 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 3 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 53 mOhm Max |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.866" Dia (22.00mm) |
| Gehäuse / Größe | Vertical, No Base, 2 PC Pin |
| Gehäuse / Ausführung | Vertical, No Base, 2 PC Pin |
| Lieferant | KEMET,WEC |
| Beschreibung | CMC 107UH 3A 2LN TH |
| Serie | HHBC |
| Produktstatus | Active |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 kHz |
| Montageart | Through Hole |
