HHBC24N-2R3A0104V

HHBC24N-2R3A0104V

KEMET

Vertical, No Base, 2 PC Pin
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil HHBC24N-2R3A0104V von KEMET. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 104 µH, Nennstrom 20 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 10.4 mOhm Max, Gehäusegröße Vertical, No Base, 2 PC Pin. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
104 µH
Nennstrom
20 A
DC-Widerstand (DCR)
10.4 mOhm Max

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für HHBC24N-2R3A0104V.

Induktivität
104 µH

HHBC24N-2R3A0104V hat eine Induktivität von 104 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
20 A

HHBC24N-2R3A0104V ist für 20 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
10.4 mOhm Max

HHBC24N-2R3A0104V hat einen DC-Widerstand von 10.4 mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Vertical, No Base, 2 PC Pin

HHBC24N-2R3A0104V verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Vertical, No Base, 2 PC Pin. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität104 µH
Toleranz±20%
Nennstrom20 A
DC-Widerstand (DCR)10.4 mOhm Max
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Gehäuse / GrößeVertical, No Base, 2 PC Pin
Gehäuse / AusführungVertical, No Base, 2 PC Pin
LieferantKEMET
BeschreibungCMC 104UH 20A 2LN TH
SerieHHBC
ProduktstatusActive
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartThrough Hole

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