HPAL1V1250-R82-R
Eaton - Electronics Division
Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil HPAL1V1250-R82-R von Eaton - Electronics Division. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 820 nH. Prüfen Sie die verfügbaren Spezifikationen und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für HPAL1V1250-R82-R.
HPAL1V1250-R82-R hat eine Induktivität von 820 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
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Alternative Lösungen
Vergleichen Sie mögliche Alternativen mit ähnlichen Spezifikationen. Prüfen Sie vor der Verwendung alle elektrischen und mechanischen Anforderungen.
Produkteigenschaften
| Induktivität | 820 nH |
| Lieferant | Eaton - Electronics Division |
| Beschreibung | IND 820NH 39.0A 2 PADS SMT |
| Serie | HPAL1V1250 |
| Produktstatus | Active |
