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IHDM1008BCEV1R2M30

IHDM1008BCEV1R2M30

Vishay Dale

Vertical, 2 PC Pin
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil IHDM1008BCEV1R2M30 von Vishay Dale. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1.2 µH, Nennstrom 100 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 0.3mOhm Max, Gehäusegröße Vertical, 2 PC Pin. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
1.2 µH
Nennstrom
100 A
DC-Widerstand (DCR)
0.3mOhm Max
Abmessungen
1.005" L x 0.816" W (25.53mm x 20.73mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für IHDM1008BCEV1R2M30.

Induktivität
1.2 µH

IHDM1008BCEV1R2M30 hat eine Induktivität von 1.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
100 A

IHDM1008BCEV1R2M30 ist für 100 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
0.3mOhm Max

IHDM1008BCEV1R2M30 hat einen DC-Widerstand von 0.3mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Vertical, 2 PC Pin

IHDM1008BCEV1R2M30 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Vertical, 2 PC Pin. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 13.6.2026
Induktivität1.2 µH
Toleranz±20%
Nennstrom100 A
DC-Widerstand (DCR)0.3mOhm Max
Sättigungsstrom205A
Betriebstemperatur-40°C ~ 180°C
Abmessungen1.005" L x 0.816" W (25.53mm x 20.73mm)
Gehäuse / GrößeVertical, 2 PC Pin
Gehäuse / AusführungVertical, 2 PC Pin
LieferantVishay Dale
BeschreibungFIXED IND 1.2UH 100A 0.3 MOHM TH
SerieIHDM-1008BC-x0
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialIron Powder
AbschirmungUnshielded
Eigenresonanzfrequenz91MHz
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartThrough Hole
Hersteller-GehäuseVertical, 2 PC Pin
Höhe - sitzend (max.)0.896" (22.75mm)

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