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IHDM1008BCEV2R2M20

IHDM1008BCEV2R2M20

Vishay Dale

Vertical, 2 PC Pin
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil IHDM1008BCEV2R2M20 von Vishay Dale. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 2.2 µH, Nennstrom 63 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 0.7mOhm Max, Gehäusegröße Vertical, 2 PC Pin. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
2.2 µH
Nennstrom
63 A
DC-Widerstand (DCR)
0.7mOhm Max
Abmessungen
1.005" L x 0.816" W (25.53mm x 20.73mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für IHDM1008BCEV2R2M20.

Induktivität
2.2 µH

IHDM1008BCEV2R2M20 hat eine Induktivität von 2.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
63 A

IHDM1008BCEV2R2M20 ist für 63 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
0.7mOhm Max

IHDM1008BCEV2R2M20 hat einen DC-Widerstand von 0.7mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Vertical, 2 PC Pin

IHDM1008BCEV2R2M20 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Vertical, 2 PC Pin. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 13.6.2026
Induktivität2.2 µH
Toleranz±20%
Nennstrom63 A
DC-Widerstand (DCR)0.7mOhm Max
Sättigungsstrom204A
Betriebstemperatur-40°C ~ 180°C
Abmessungen1.005" L x 0.816" W (25.53mm x 20.73mm)
Gehäuse / GrößeVertical, 2 PC Pin
Gehäuse / AusführungVertical, 2 PC Pin
LieferantVishay Dale
BeschreibungFIXED IND 2.2UH 63A 0.7 MOHM TH
SerieIHDM-1008BC-x0
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialIron Powder
AbschirmungUnshielded
Eigenresonanzfrequenz69MHz
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartThrough Hole
Hersteller-GehäuseVertical, 2 PC Pin
Höhe - sitzend (max.)0.896" (22.75mm)

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