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IHDV0808ACFS1R9M3A

IHDV0808ACFS1R9M3A

Vishay Dale

3-SMD, Gull Wing
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil IHDV0808ACFS1R9M3A von Vishay Dale. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1.9 µH, Nennstrom 30 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 1.5mOhm Max, Gehäusegröße 3-SMD, Gull Wing. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
1.9 µH
Nennstrom
30 A
DC-Widerstand (DCR)
1.5mOhm Max
Abmessungen
0.787" L x 0.551" W (20.00mm x 14.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für IHDV0808ACFS1R9M3A.

Induktivität
1.9 µH

IHDV0808ACFS1R9M3A hat eine Induktivität von 1.9 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
30 A

IHDV0808ACFS1R9M3A ist für 30 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
1.5mOhm Max

IHDV0808ACFS1R9M3A hat einen DC-Widerstand von 1.5mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
3-SMD, Gull Wing

IHDV0808ACFS1R9M3A verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 3-SMD, Gull Wing. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 13.6.2026
Induktivität1.9 µH
Toleranz±20%
Nennstrom30 A
DC-Widerstand (DCR)1.5mOhm Max
Sättigungsstrom110A
Betriebstemperatur-40°C ~ 180°C
Abmessungen0.787" L x 0.551" W (20.00mm x 14.00mm)
Gehäuse / Größe3-SMD, Gull Wing
Gehäuse / Ausführung3-SMD, Gull Wing
LieferantVishay Dale
BeschreibungFIXED IND 1.9UH 30A 1.5 MOHM SMD
SerieIHDV-0808AC-3A
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
KernmaterialIron Alloy
AbschirmungUnshielded
Eigenresonanzfrequenz83MHz
Zulassungen / BewertungenAEC-Q200
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse3-SMD
Höhe - sitzend (max.)0.551" (14.00mm)

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