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IHLL1008ABEZ2R2M1Z

IHLL1008ABEZ2R2M1Z

Vishay Dale

1008 (2520 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 2.2UH 3A 82 MOHM SMD

Technische Daten

Induktivität
2.2 µH
Nennstrom
3 A
DC-Widerstand (DCR)
82mOhm Max
Abmessungen
0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für IHLL1008ABEZ2R2M1Z.

Induktivität
2.2 µH

IHLL1008ABEZ2R2M1Z hat eine Induktivität von 2.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
3 A

IHLL1008ABEZ2R2M1Z ist für 3 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
82mOhm Max

IHLL1008ABEZ2R2M1Z hat einen DC-Widerstand von 82mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1008 (2520 Metric)

IHLL1008ABEZ2R2M1Z verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1008 (2520 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 12.6.2026
Induktivität2.2 µH
Toleranz±20%
Nennstrom3 A
DC-Widerstand (DCR)82mOhm Max
Sättigungsstrom3A
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Gehäuse / Größe1008 (2520 Metric)
Gehäuse / Ausführung1008 (2520 Metric)
LieferantVishay Dale
BeschreibungFIXED IND 2.2UH 3A 82 MOHM SMD
SerieIHLL-1008AB-1Z
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMultilayer
KernmaterialMetal Composite
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz1 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1008
Höhe - sitzend (max.)0.047" (1.20mm)
Merkmale-

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