Beschreibung
FIXED IND 3.3UH 4.2A 65 MOHM SMD
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für IHLP1210BZEZ3R3M5A.
IHLP1210BZEZ3R3M5A hat eine Induktivität von 3.3 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
IHLP1210BZEZ3R3M5A ist für 4.2 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
IHLP1210BZEZ3R3M5A hat einen DC-Widerstand von 65mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
IHLP1210BZEZ3R3M5A verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1210 (3225 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 3.3 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 4.2 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 65mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 4A |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 165°C |
| Abmessungen | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm) |
| Gehäuse / Größe | 1210 (3225 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 1210 (3225 Metric) |
| Lieferant | Vishay Dale |
| Beschreibung | FIXED IND 3.3UH 4.2A 65 MOHM SMD |
| Serie | IHLP1210BZEZ-5A |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Molded |
| Kernmaterial | Metal Composite |
| Abschirmung | Shielded |
| Q bei Frequenz | - |
| Eigenresonanzfrequenz | - |
| Zulassungen / Bewertungen | AEC-Q200 |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 1 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 1210 |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.079" (2.00mm) |
| Merkmale | - |
