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IHLP1212ABEV1R0M5A

IHLP1212ABEV1R0M5A

Vishay Dale

Nonstandard
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Beschreibung

FIXED IND 1UH 4.05A 49.6 MOHM

Technische Daten

Induktivität
1 µH
Nennstrom
4.05 A
DC-Widerstand (DCR)
49.6mOhm Max
Abmessungen
0.140" L x 0.130" W (3.56mm x 3.30mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für IHLP1212ABEV1R0M5A.

Induktivität
1 µH

IHLP1212ABEV1R0M5A hat eine Induktivität von 1 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
4.05 A

IHLP1212ABEV1R0M5A ist für 4.05 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
49.6mOhm Max

IHLP1212ABEV1R0M5A hat einen DC-Widerstand von 49.6mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Nonstandard

IHLP1212ABEV1R0M5A verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 13.6.2026
Induktivität1 µH
Toleranz±20%
Nennstrom4.05 A
DC-Widerstand (DCR)49.6mOhm Max
Sättigungsstrom4.3A
Betriebstemperatur-55°C ~ 155°C
Abmessungen0.140" L x 0.130" W (3.56mm x 3.30mm)
Gehäuse / GrößeNonstandard
Gehäuse / AusführungNonstandard
LieferantVishay Dale
BeschreibungFIXED IND 1UH 4.05A 49.6 MOHM
SerieIHLP
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMolded
Kernmaterial-
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz87MHz
Zulassungen / BewertungenAEC-Q200
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)0.047" (1.20mm)
Merkmale-

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