Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil IHLP1616ABER2R2M1A von Vishay Dale. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 2.2 µH, Nennstrom 2.75 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 83.5mOhm Max, Gehäusegröße 2-SMD, No Lead. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für IHLP1616ABER2R2M1A.
IHLP1616ABER2R2M1A hat eine Induktivität von 2.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
IHLP1616ABER2R2M1A ist für 2.75 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
IHLP1616ABER2R2M1A hat einen DC-Widerstand von 83.5mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
IHLP1616ABER2R2M1A verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 2-SMD, No Lead. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 2.2 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 2.75 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 83.5mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 3A |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.160" L x 0.160" W (4.06mm x 4.06mm) |
| Gehäuse / Größe | 2-SMD, No Lead |
| Gehäuse / Ausführung | 2-SMD, No Lead |
| Lieferant | Vishay Dale |
| Beschreibung | FIXED IND 2.2UH 2.75A 83.5 MOHM |
| Serie | IHLP |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Molded |
| Kernmaterial | Composite |
| Abschirmung | Shielded |
| Eigenresonanzfrequenz | 49MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 kHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 2-SMD |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.047" (1.20mm) |
