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IHLP1616BZER2R2M11

IHLP1616BZER2R2M11

Vishay Dale

Nonstandard
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Beschreibung

FIXED IND 2.2UH 3.25A 48 MOHM

Technische Daten

Induktivität
2.2 µH
Nennstrom
3.25 A
DC-Widerstand (DCR)
48mOhm Max
Abmessungen
0.175" L x 0.160" W (4.45mm x 4.06mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für IHLP1616BZER2R2M11.

Induktivität
2.2 µH

IHLP1616BZER2R2M11 hat eine Induktivität von 2.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
3.25 A

IHLP1616BZER2R2M11 ist für 3.25 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
48mOhm Max

IHLP1616BZER2R2M11 hat einen DC-Widerstand von 48mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Nonstandard

IHLP1616BZER2R2M11 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 13.6.2026
Induktivität2.2 µH
Toleranz±20%
Nennstrom3.25 A
DC-Widerstand (DCR)48mOhm Max
Sättigungsstrom3.25A
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.175" L x 0.160" W (4.45mm x 4.06mm)
Gehäuse / GrößeNonstandard
Gehäuse / AusführungNonstandard
LieferantVishay Dale
BeschreibungFIXED IND 2.2UH 3.25A 48 MOHM
SerieIHLP-1616BZ-11
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMolded
Kernmaterial-
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz40MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)0.079" (2.00mm)
Merkmale-

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