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IHLP1616BZET3R3M11

Vishay Dale

Nonstandard
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Beschreibung

FIXED IND 3.3UH 2.7A 94.3 MOHM

Technische Daten

Induktivität
3.3 µH
Nennstrom
2.7 A
DC-Widerstand (DCR)
94.3mOhm Max
Abmessungen
0.175" L x 0.160" W (4.45mm x 4.06mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für IHLP1616BZET3R3M11.

Induktivität
3.3 µH

IHLP1616BZET3R3M11 hat eine Induktivität von 3.3 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
2.7 A

IHLP1616BZET3R3M11 ist für 2.7 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
94.3mOhm Max

IHLP1616BZET3R3M11 hat einen DC-Widerstand von 94.3mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Nonstandard

IHLP1616BZET3R3M11 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 13.6.2026
Induktivität3.3 µH
Toleranz±20%
Nennstrom2.7 A
DC-Widerstand (DCR)94.3mOhm Max
Sättigungsstrom2.2A
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.175" L x 0.160" W (4.45mm x 4.06mm)
Gehäuse / GrößeNonstandard
Gehäuse / AusführungNonstandard
LieferantVishay Dale
BeschreibungFIXED IND 3.3UH 2.7A 94.3 MOHM
SerieIHLP-1616BZ-11
ProduktstatusObsolete
Typ / AufbauMolded
Kernmaterial-
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz35MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)0.079" (2.00mm)
Merkmale-

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