Beschreibung
FIXED IND 2.2UH 25.5A 3.67 MOHM
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für IHLP505WFDER2R2M5A.
IHLP505WFDER2R2M5A hat eine Induktivität von 2.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
IHLP505WFDER2R2M5A ist für 25.5 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
IHLP505WFDER2R2M5A hat einen DC-Widerstand von 3.67mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
IHLP505WFDER2R2M5A verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 2.2 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 25.5 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 3.67mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 21.5A |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 155°C |
| Abmessungen | 0.503" L x 0.520" W (12.78mm x 13.21mm) |
| Gehäuse / Größe | Nonstandard |
| Gehäuse / Ausführung | Nonstandard |
| Lieferant | Vishay Dale |
| Beschreibung | FIXED IND 2.2UH 25.5A 3.67 MOHM |
| Serie | IHLP |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Molded |
| Kernmaterial | - |
| Abschirmung | Shielded |
| Q bei Frequenz | - |
| Eigenresonanzfrequenz | 23.3MHz |
| Zulassungen / Bewertungen | AEC-Q200 |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 kHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | - |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.256" (6.50mm) |
| Merkmale | - |
