Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil IHV20EB200 von Vishay Dale. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 200 µH, Nennstrom 20 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 21mOhm Max, Gehäusegröße Radial, Horizontal Cylinder. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für IHV20EB200.
IHV20EB200 hat eine Induktivität von 200 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
IHV20EB200 ist für 20 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
IHV20EB200 hat einen DC-Widerstand von 21mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
IHV20EB200 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Radial, Horizontal Cylinder. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 200 µH |
| Toleranz | ±10% |
| Nennstrom | 20 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 21mOhm Max |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 1.450" Dia x 2.450" L (36.83mm x 62.23mm) |
| Gehäuse / Größe | Radial, Horizontal Cylinder |
| Gehäuse / Ausführung | Radial, Horizontal Cylinder |
| Lieferant | Vishay Dale |
| Beschreibung | FIXED IND 200UH 20A 21 MOHM TH |
| Serie | IHV |
| Produktstatus | Active |
| Kernmaterial | Iron |
| Abschirmung | Unshielded |
| Eigenresonanzfrequenz | 1.2MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 1 kHz |
| Montageart | Through Hole |
