Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil IHV50BZ50 von Vishay Dale. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 50 µH, Nennstrom 50 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 4.5mOhm Max, Gehäusegröße Radial, Horizontal Cylinder. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für IHV50BZ50.
IHV50BZ50 hat eine Induktivität von 50 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
IHV50BZ50 ist für 50 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
IHV50BZ50 hat einen DC-Widerstand von 4.5mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
IHV50BZ50 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Radial, Horizontal Cylinder. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 50 µH |
| Toleranz | ±10% |
| Nennstrom | 50 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 4.5mOhm Max |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 1.570" Dia x 2.550" L (39.88mm x 64.77mm) |
| Gehäuse / Größe | Radial, Horizontal Cylinder |
| Gehäuse / Ausführung | Radial, Horizontal Cylinder |
| Lieferant | Vishay Dale |
| Beschreibung | FIXED IND 50UH 50A 4.5 MOHM TH |
| Serie | IHV |
| Produktstatus | Active |
| Kernmaterial | Iron |
| Abschirmung | Unshielded |
| Eigenresonanzfrequenz | 3.1MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 1 kHz |
| Montageart | Through Hole |
